Gelest SNT7560
- CAS номер
- 594-27-4
- Химическое название
- Тетраметилолово
- Молекулярная формула
- C₄H₁₂Sn
Gelest TETRAMETHYLTIN (SNT7560) является катализатором реакций rearrangment и расщепления эпоксидных спиртов. Он выступает в роли промежуточного и проводящего агента и часто используется в химическом производстве.
Преимущества
- Этот материал может быть нанесен без вакуумных требований распылительных методик. Альтернативные технологии материалов, исключающие индий, включают оксиды на основе цинка, сурьмы и олова, которые могут быть легированы фтором
Функции и применение
- Функции
- Проводящий агент
- Промежуточное вещество
- Рынки
- Промышленный
- Тип покрытия
- Проводящее покрытие
- Технология
- Базовые химикаты и промежуточные продуктыИнгредиенты для CASE
- Применимые процессы
- Химическое производство
Применение
- Химическое производство
Свойства
- Характеристики продукта
Катализатор для перегруппировки и расщепления эпоксиспиртов.; Катализатор для циклизации ω-аминокислот в лактамы.; В сочетании с алкилами свинца образует пленки PZT методом MOCVD.; Обзор реакций в сочетании с реагентами Гриньяра и различными органическими субстратами.; В сочетании с триэтиламином и хлортриметилсиланом удлиняет альдегиды до двух углеродных атомов до эналей.
- Характеристики
Для CVD оксида олова прозрачных проводящих электродов на стекле для фотоэлектрических преобразователей и датчиков; Пиролизуется в вакууме до олова при 600-750°C; Пиролизуется окислительно до SnO при 350-600°C; Образует прозрачные проводящие оксиды для фотоэлектрических преобразователей методом плазмоусиленного химического осаждения из паровой фазы (PECVD)
Идентификация
Хранение и поставка
- Стандартная упаковка
- 25 г
- 100 г
- 1,5 кг
- 20 кг
Другие характеристики
- Процесс экстракции
Атомно-слоевое осаждение (ALD) - это химически самоограничивающаяся техника осаждения, основанная на последовательном использовании газообразного химического процесса. В большинстве случаев реакции ALD используют два химических прекурсора, которые реагируют с поверхностью по очереди в последовательном, самоограничивающемся режиме.; Тонкая пленка получается в результате повторения последовательности осаждения столько раз, сколько необходимо для достижения определенной толщины. Основной характеристикой пленок является их конформность, а также то, что количество контроля, обеспечиваемое схемой ALD (где реагирующие прекурсоры пространственно разделены), позволяет получать очень тонкие осажденные слои (до 0,1 А за цикл).; Выбор прекурсора является ключевым в процессах ALD, а именно - нахождение молекул, которые будут иметь достаточную реакционную способность для получения желаемых пленок, но при этом будут достаточно стабильными, чтобы их можно было безопасно обрабатывать и доставлять в реакционную камеру.
Технические данные
Таблица 1 из 2
6 строк| Характеристика | Значение | Единица |
|---|---|---|
| Delta H Vaporization | 6.8 | kcal/mole |
| Boiling Point | 74 - 75 | °C |
| Melting Point | -54.0 | °C |
| Enthalpy of Combustion | 903.5 | kcal/mole |
| Enthalpy of Formation (gas at 27°C) | -13.6 | kcal/mole |
| Enthalpy of Evaporation | 6.8 | kcal/mole |
Таблица 2 из 2
9 строк| Характеристика | Значение | Единица |
|---|---|---|
| Flash Point | -12.0 | °C |
| Refractive Index (at 20°C) | 1.441 | — |
| Purity | 97.0 | % |
| Vapor Pressure (at -21 °C) | 10.0 | mmHg |
| Molecular Weight | 178.83 | g/mol |
| Density (at 20°C) | 1.291 | g/ml |
| Vapor Pressure (at 20°C) | 90.0 | mmHg |
| Dissociation Energy (Sn-Me Bond) | 227.0 | kJ/mole |
| Ethylene Acrylate Copolymer (pyrolysis) | 41.1 | kcal/mole |
