В каталог

Gelest SNT7560

CAS номер
594-27-4
Химическое название
Тетраметилолово
Молекулярная формула
C₄H₁₂Sn

Gelest TETRAMETHYLTIN (SNT7560) является катализатором реакций rearrangment и расщепления эпоксидных спиртов. Он выступает в роли промежуточного и проводящего агента и часто используется в химическом производстве.

Преимущества

  • Этот материал может быть нанесен без вакуумных требований распылительных методик. Альтернативные технологии материалов, исключающие индий, включают оксиды на основе цинка, сурьмы и олова, которые могут быть легированы фтором

Функции и применение

Функции
  • Проводящий агент
  • Промежуточное вещество
Рынки
Промышленный
Тип покрытия
Проводящее покрытие
Технология
Базовые химикаты и промежуточные продуктыИнгредиенты для CASE
Применимые процессы
Химическое производство

Применение

Промышленный — Химическое и промышленное производство
  • Химическое производство

Свойства

Характеристики продукта

Катализатор для перегруппировки и расщепления эпоксиспиртов.; Катализатор для циклизации ω-аминокислот в лактамы.; В сочетании с алкилами свинца образует пленки PZT методом MOCVD.; Обзор реакций в сочетании с реагентами Гриньяра и различными органическими субстратами.; В сочетании с триэтиламином и хлортриметилсиланом удлиняет альдегиды до двух углеродных атомов до эналей.

Характеристики

Для CVD оксида олова прозрачных проводящих электродов на стекле для фотоэлектрических преобразователей и датчиков; Пиролизуется в вакууме до олова при 600-750°C; Пиролизуется окислительно до SnO при 350-600°C; Образует прозрачные проводящие оксиды для фотоэлектрических преобразователей методом плазмоусиленного химического осаждения из паровой фазы (PECVD)

Идентификация

Хранение и поставка

Стандартная упаковка
  • 25 г
  • 100 г
  • 1,5 кг
  • 20 кг

Другие характеристики

Процесс экстракции

Атомно-слоевое осаждение (ALD) - это химически самоограничивающаяся техника осаждения, основанная на последовательном использовании газообразного химического процесса. В большинстве случаев реакции ALD используют два химических прекурсора, которые реагируют с поверхностью по очереди в последовательном, самоограничивающемся режиме.; Тонкая пленка получается в результате повторения последовательности осаждения столько раз, сколько необходимо для достижения определенной толщины. Основной характеристикой пленок является их конформность, а также то, что количество контроля, обеспечиваемое схемой ALD (где реагирующие прекурсоры пространственно разделены), позволяет получать очень тонкие осажденные слои (до 0,1 А за цикл).; Выбор прекурсора является ключевым в процессах ALD, а именно - нахождение молекул, которые будут иметь достаточную реакционную способность для получения желаемых пленок, но при этом будут достаточно стабильными, чтобы их можно было безопасно обрабатывать и доставлять в реакционную камеру.

Технические данные

Таблица 1 из 2

6 строк
ХарактеристикаЗначениеЕдиница
Delta H Vaporization6.8kcal/mole
Boiling Point74 - 75°C
Melting Point-54.0°C
Enthalpy of Combustion903.5kcal/mole
Enthalpy of Formation (gas at 27°C)-13.6kcal/mole
Enthalpy of Evaporation6.8kcal/mole

Таблица 2 из 2

9 строк
ХарактеристикаЗначениеЕдиница
Flash Point-12.0°C
Refractive Index (at 20°C)1.441—
Purity97.0%
Vapor Pressure (at -21 °C)10.0mmHg
Molecular Weight178.83g/mol
Density (at 20°C)1.291g/ml
Vapor Pressure (at 20°C)90.0mmHg
Dissociation Energy (Sn-Me Bond)227.0kJ/mole
Ethylene Acrylate Copolymer (pyrolysis)41.1kcal/mole

Сайт Omnichem использует файлы cookie. Продолжая пользоваться сайтом, вы даёте согласие на их использование в соответствии с положениями нашей Политики конфиденциальности и со сбором аналитики.