В каталог

Gelest AKT872

CAS номер
546-68-9
Химическое название
Тетраизопропоксид титана
Химическое семейство
АлкоксидыСоединения титана
Молекулярная формула
C₁₂H₂₈O₄Ti

Гелест ТИТАНИЕВЫЙ ИЗОПРОПИЛОВЫЙ КАТАЛИЗАТОР (AKT872) используется в качестве катализатора и промежуточного продукта. Этот продукт обычно применяется в химическом производстве.

Функции и применение

Рынки
Промышленные
Технология
Базовые химикаты и промежуточные продукты
Применимые процессы
Производство химикатов
Функции базовых химикатов
  • Катализатор
  • Промежуточный продукт

Применения

Промышленные - Химическое и промышленное производство
  • Химическое производство

Свойства

Растворимый в
Изопропанол, Гептан

Идентификация

Синонимы

Isopropyl orthotitanate, Isopropyl titanate(IV) ((C3H7O)4Ti), Tetraisopropanolatotitanium, Tetraisopropoxytitanium, Tetraisopropoxytitanium(IV), Tetraisopropyl orthotitanate, Tetraisopropyl titanate, Tetrakis(isopropanolato)titanium, Tetrakis(isopropoxide)titanium, Tetrakis(isopropoxy)titanium, Tetrakis(isopropylato)titanium(IV), Tetrakis(isopropyloxy)titanium, TIPT, Titanium isopropoxide, Titanium isopropylate, Titanium tetraisopropoxide, Titanium tetraisopropylate, Titanium tetrakis(iso-propoxide), Titanium tetrakis(isopropoxide), Titanium(4+) isopropoxide, Titanium(IV) isopropoxide

Соответствие и маркировка

Химические реестры
  • AICS (Австралия)
  • DSL (Канада)
  • EINECS (ЕС)
  • ENCS (Япония)
  • IECSC (Китай)
  • INSQ (Мексика)
  • ISHL (Япония)
  • KECI (Корея)

Хранение и поставка

Стандартная упаковка
  • 100 г
  • 2 кг
  • 17 кг
  • 190 кг

Семейства продуктов

Базовые химикаты и промежуточные продукты - Металлы, сплавы и комплексы
  • Координационные комплексы
Базовые химикаты и промежуточные продукты - Технические соли и неорганические вещества
  • Органические соли

Другие характеристики

Процесс извлечения

Атомно-слоевое осаждение (ALD) - это химически самоограничивающаяся техника осаждения, основанная на последовательном использовании газового химического процесса. В большинстве случаев реакции ALD используют два химических прекурсора, которые реагируют с поверхностью по очереди в последовательном, самоограничивающемся режиме.; Тонкая пленка получается в результате повторения последовательности осаждения столько раз, сколько необходимо для достижения определенной толщины. Основной характеристикой пленок является их конформность, а также то, что количество контроля, обеспечиваемое схемой ALD (где реагирующие прекурсоры пространственно разделены), позволяет получать очень тонкие осажденные слои (до 0,1 А на цикл).; Выбор прекурсора является ключевым в процессах ALD, а именно - нахождение молекул, которые будут иметь достаточную реакционную способность для получения желаемых пленок, но при этом будут достаточно стабильными, чтобы их можно было безопасно обрабатывать и доставлять в реакционную камеру.

Технические данные

Таблица 1 из 2

5 строк
ХарактеристикаЗначениеЕдиница
Delta H Vaporization14.7kcal/mole
Boiling Point (at 1 mmHg)58.0°C
Melting Point15 - 19°C
Enthalpy of Formation-377.0kcal/mole
Enthalpy of Evaporation14.7kcal/mole

Таблица 2 из 2

10 строк
ХарактеристикаЗначениеЕдиница
Hydrolytic Sensitivity7 (Reacts slowly with moisture/water)—
Density (at 20°C)0.937g/ml
Flash Point25.0°C
Refractive Index (at 20°C)1.4654—
Viscosity2.0cSt
Vapor Pressure (at 50°C)0.9mmHg
Vapor Pressure (at 100°C)19.0mmHg
Molecular Complexity1.4—
Metal Content (Ti)16.6 - 16.9%
Molecular Weight284.25g/mol

Сайт Omnichem использует файлы cookie. Продолжая пользоваться сайтом, вы даёте согласие на их использование в соответствии с положениями нашей Политики конфиденциальности и со сбором аналитики.